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一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管

成果名称:一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管

人:周雷

获批时间:2021/12/07

成果类型:发明授权

号:CN201910831941.2

成果简介本发明公开了一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管,属于有机光电显示器件技术领域,其包括由上至下依次设置的变取向像素层、基底、第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极,在基底上表面设置变取向像素化纳米金属光栅单元,组成变取向像素化层, 纳米金属光栅周期为100220 nm,占空比为0.30.6,槽深为60120 nm;在所述的第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极上均设置相同取向的一维纳米光栅结构,所述的相同取向的一维纳米光栅结构为周期性阵列光栅,光栅的周期为150250 nm,占空比为0.40.6,槽深为3050 nm。本发明的一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管,能实现有机发光二极管的变取向像素化线偏振出光,可用于主动式信息编码、目标反隐及偏振成像等领域。

联系人:陈帅

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发布时间:2022年06月28日

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