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基于黑盒理论分析接触电阻变化规律的方法

成果名称:基于黑盒理论分析接触电阻变化规律的方法

发 明 人:杨玉东;尹晓琦;付成芳;季仁东

获批时间:2020/06/05

成果类型:发明授权

专 利 号:CN201710928058.6

成果简介

本发明公开了基于黑盒理论分析接触电阻阻抗变化规律的方法,包括以下步骤:a.设定接触电阻为作为导轨的金属圆环和作为电枢的导体滑臂之间电接触时产生的电阻,所述导轨设置在一带金属转轴的绝缘圆盘边部,所述导轨和金属转轴之间通过导体片导通;在电枢末端和金属转轴的一端接入脉冲功率电源构成回路,采用驱动机构驱动金属转轴带动绝缘圆盘上的导轨旋转;b.构建回路的等效电路,再根据回路电压定律,构造等效电路的回路电压方程;c.求解电枢内电流密度,采用数据拟合得到电枢横截面法向电流密度的表达式;测定电枢与导轨的电势差,采用数据拟合得到电势差变化的表达式,根据公式R=U/I得到导轨和电枢间的阻抗变化表达式。


联系人:陈帅

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发布时间:2020年06月05日

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