成果名称：一种提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法

发 明 人：郭探;云山;洪坤;陈静;张加栋;朱秀芳

获批时间：2020/09/25

成果类型：发明授权

专 利 号：CN201910612485.2

成果简介

本发明公开了一种等离子刻蚀提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法，按照以下步骤：清洗基材后干燥——基材置于沉积室，然后在基材表面采用直流磁控溅射法沉积钒酸铋薄膜，沉积5～60min后得光催化薄膜——光催化薄膜在300‑500oC热处理2h，升温速度为1‑20oC/min——光催化薄膜送入刻蚀室，采用直流等离子法刻蚀光催化薄膜，刻蚀5‑30min后即得优化的钒酸铋薄膜。该方法不需要额外引入材料，工艺简单，功耗低且能够实现连续大尺寸制备，取材方便价格相比贵金属低，整个操作过程稳定性和可重复性好。

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