成果名称：提高氧化铁纳米棒阵列光电阳极的光电响应的方法

发 明 人：张立静;薛晓祥;高辰风;胡涛;张孝杰;谭立强;蒋金龙;洪坤;张强华;毕玲玲

获批时间：2021/03/16

成果类型：发明授权

专 利 号：CN202010620059.6

成果简介

本发明涉及光电功能材料的制备技术领域，公开了一种提高氧化铁纳米棒阵列光电阳极的光电响应的方法，其特征在于，将水热条件下在导电衬底表面生长的氧化铁纳米棒阵列光电阳极斜靠在反应釜中，将衬底上生长有氧化铁纳米棒阵列的导电面朝下，将乙二醇加到反应釜的三分之二后密封，水热反应0.1‑64小时，自然冷却后将衬底表面用去离子水洗涤，干燥得到乙二醇处理的氧化铁纳米棒阵列光电阳极。与现有技术相比，本发明通过简单的将氧化铁纳米棒阵列光电阳极在乙二醇溶液中加热处理，就能明显提高氧化铁纳米棒阵列光阳极的光电响应，步骤简单，容易操作。

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